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                    華為麒麟1020猛料!采用臺積電5nm工藝

                    2019-12-17 10:34:50來源:互聯網作者:tjxz

                          近日,高通驍龍865發布了,臺積電目前正在試產5nm,測試芯片平均良品率高達80%,最高可超90%,預計在明年上半年投入大規模量產。

                          性能輕取安卓陣營桂冠,而善于打時間差的華為下一代麒麟旗艦也開始頻繁曝料,不出意外將在明年下半年的Mate 40系列上首發。

                          麒麟990 5G處理器采用了臺積電7nm EUV工藝,集成103億個晶體管,移動SoC中首次過百億,芯片面積為113.31平方毫米,算下來每平方毫米大約9090萬個晶體管。

                          華為下一代旗艦SoC據說會叫做麒麟1020,代號巴爾的摩(Baltimore),曝料稱相比于麒麟990性能可提升多達50%,主要原因是CPU架構從A76跨代升級到A78,領先高通驍龍865、聯發科天璣1000里使用的A77,同時標配集成5G基帶。

                          麒麟1020幾乎鎖定采用臺積電5nm工藝,晶體管密度自然將大大提升,最新消息稱每平方毫米有望達到1.713億個左右,對比麒麟990 5G增加了接近90%。

                          5nm將是臺積電的又一個重要工藝節點,使用第五代FinFET晶體管技術,EUV極紫外光刻技術也擴展到10多個光刻層,并分為N5、N5P兩個版本,前者相比于N7 7nm工藝性能提升15%、功耗降低30%,后者在前者基礎上繼續性能提升7%、功耗降低15%。

                          臺積電目前正在試產5nm,測試芯片平均良品率高達80%,最高可超90%,預計在明年上半年投入大規模量產。

                    華為麒麟1020猛料!采用臺積電5nm工藝
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